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k8凯发国际西博思电动执行器官网中国发热友网报道（文/黄晶晶）日前音尘，台积电策划于2027年量产CoW-SoW（晶圆上 体例）封装技巧，该技巧是将InFO-S△oW（集成=扇出晶圆上体例）与So体例）连系，把存储器和逻辑芯★片堆 叠正在晶圆上。这一技巧的胀 动是为了应对 更强盛的！
台积电的InFO-SoW一经用于Cerebras▽ AI芯片、Tesla Dojo 的措置器▽等上面。个中，Cer eb ras Syste =ms 打制的超大AI芯片，采用互连的举 措将整个内核 放正 在统一块硅晶圆上，台积电曾显○露其扇出型封装技巧○使芯片厚度淘汰20%，本钱低浸30%，同时互连功耗低浸15%。也便是□ 说数=据 挪动=迅疾△ 且■ 低功耗。而特斯拉Dojo超算▽体例集成25个D1芯片的教练模块，也是通过台积 电的I△nFO _SoW 整◁合扇★出技巧来达成的。
而InFO-SoW要紧依然以一种创制工艺实行坐褥，难以■实行□分 …别工艺Die的…集成。CoW-S…oW的呈现可以更好地整合逻辑芯片和存储芯 △片的集成，并获取更高的互联带宽。据台积○□电先容
这里的CoWoS-L是CoWoS供给三种分别的转接板技巧之一，是CoWoS异日发扬的要 害技巧。凭据台积电的筹办，其将于2026年推出，可将中介层尺寸 拓 展至光罩极=限的■5。5倍，可增援12个HB M内 存栈○房，也便是简单封装中整合更众 策动和存储资源，进一步满= 意AI功能 的需求。
思=索到台积 电CoW-SoW技巧策划于2027年发 端量产，外界以为有恐★怕会被 ■英伟达的 Rubin Ultra采用。
另据早前的报道，SK 海力士期望将HBM4通过3D 堆叠的办法直接集成正在芯片○上。外媒以为西博思电动践诺器官网中 邦，Nvi★dia 和SK海力士很恐怕会联合计划这种○集成芯片，并借助台积电实行代工。通过 台积电的晶 圆键合 技巧将S K海力士的H◁BM 4芯片直 接堆叠到逻○辑芯片上，HBM无需中介层。
商场调研机构Yol△e预测，到2027年商场 周围将到达591亿美△元。其它，2。5D/3D封装 技巧将达成★○ 明显增加，估计其复合增加…率将到达■13。73%，到2027年2。5D/3D 封装商场△周◁围估计将○达180亿美元
诚然，AI…功能▽的△不绝★晋升★需求依托▽算力、存力和运力的归纳才华，纯净的依托优秀制程来晋升○算□力★已亏空够。越发是将大AI芯片与更众存储更近间隔的集成是 AI功能不绝打破的要害，优秀封=装看 待AI芯片的优化起到越来越紧急的感化。
据媒体报道，摩根 士丹利□□（○大摩）的分解指 出，三星电子估计将于2026年将其！
两泰半导体巨头的强强共同再次□激□发业界 注意。据最新报道，两边正联袂并进，联合 开荒下 一 代高带宽★存储 器！
正在指日◁于台湾举办的SEMICON Taiwan 2024邦际半导体展会上？
）芯片，旨正在 坚固并增强各自正在迅疾增加的人工智能芯片商场中的领先位子。正在Semicon？
封装，新筹办 /！
媒《经济 日 报 》6月○ …24日报▽=△道，继独家代工英伟达、AMD等科技巨头○★□AI芯片 ○ 之后！
主要缺货20年未睹，现时是“顶峰”，逆转将至，Ga rt△n○○△e r解▽读环球■芯★ 片供需、邦产半导体之困？
Arm以CSS策动平台+◁ Kleid iAI○ +生态协作，发外智能终端AI周到到来。
江波龙：LPDDR5量产，LPDDR5X正在。
